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Solutions d'alimentation BDS CoolGaN™ GaN à haut rendement de 40 V
Les solutions d'alimentation BDS CoolGaN GaN à haut rendement de 40 V d'Infineon Technologies sont conçues pour la prochaine génération de conceptions basse tension
La gamme G3 de commutateurs bidirectionnels (BDS) CoolGaN de 40 V d'Infineon Technologies permet de bénéficier des avantages de la technologie au nitrure de gallium (GaN) dans les applications d'alimentation basse tension, en offrant des pertes de commutation considérablement réduites, des vitesses de commutation ultra-rapides et un rendement global amélioré par rapport aux MOSFET en silicium traditionnels. Ces dispositifs sont optimisés pour un fonctionnement à haute fréquence, permettant aux concepteurs de réduire la taille des systèmes tout en maintenant d'excellentes performances.
La gamme G3 de solutions BDS CoolGaN de 40 V est conçue pour prendre en charge un large éventail de topologies de conversion de puissance, offrant une faible résistance RDS(on), une faible charge de grille et un facteur de mérite (FOM) supérieur. Cette combinaison permet d'obtenir une densité de puissance plus élevée et un meilleur rendement thermique, ce qui rend ces dispositifs parfaitement adaptés aux conceptions compactes et performantes.
Pour accélérer le développement, Infineon propose des cartes d'évaluation et des conceptions de référence qui aident les ingénieurs à mettre en œuvre et à valider rapidement des solutions basées sur la technologie CoolGaN, ce qui réduit les délais de mise sur le marché et la complexité de la conception.
- Faible résistance RDS(on) pour des pertes par conduction réduites
- Ultrafaible charge de grille (Qg)
- Capacité de commutation à haute vitesse
- Faibles pertes de commutation par rapport aux MOSFET en silicium
- Excellent facteur FOM (RDS(on) x Qg)
- Optimisation pour un fonctionnement à haute fréquence
- Options de boîtiers compacts pour les conceptions où l'espace est limité
- Performances robustes et fiables
- Rendement supérieur du système et consommation d'énergie réduite
- Système plus compact grâce à une fréquence de commutation plus élevée
- Réduction de la production de chaleur et amélioration de la gestion thermique
- Plus grande densité de puissance
- Réduction de la taille et du coût des composants passifs
- Amélioration des performances globales du système
- Convertisseurs de point de charge (POL)
- Convertisseurs abaisseurs synchrones
- Systèmes alimentés par batterie
- Entraînements de moteurs basse tension (ventilateurs, pompes)
- Robotique et drones
- Alimentation pour serveurs et télécommunications
- Électronique grand public
CoolGaN™ BDS High-Efficiency 40 V GaN Power Solutions
| Image | Référence fabricant | Description | Rds On (max.) à Id, Vgs | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | IGK048B041SXTSA1 | GANFET N-CH 40V 53A 16WLBGA | 4,8mohms à 5A, 5V | 9.1 nC @ 5 V | 600 pF @ 20 V | 3964 - Immédiatement | $1.15 | Afficher les détails |
| | IGK120B041SXTSA1 | GANFET N-CH 40V 30A 16WLBGA | 12mohms à 5A, 5V | 4.4 nC @ 5 V | 290 pF @ 20 V | 3975 - Immédiatement | $0.54 | Afficher les détails |
France