MOSFET à canal N de 100 V et 1,1 mΩ MOT1113T4 en boîtier TOLT

Les MOSFET de Guangdong Inmark Electronics offrent davantage de possibilités de conception compacte pour les dispositifs électroniques et une dissipation thermique bien meilleure que les produits série traditionnels

Le dispositif MOT1113T4 de Image du MOSFET à canal N de 100 V et 1,1 mΩ MOT1113T4 de Guangdong Inmark Electronics (MOT)Guangdong Inmark Electronics est un MOSET à canal N de faible tension et de forte puissance, en boîtier TOLT, avec une tension VDS de 100 V et un courant ID de 399 µA. Il présente une taille de boîtier réduite, une vitesse de commutation rapide, une faible résistance RDS(ON), une excellente dissipation thermique et une forte résistance aux vibrations et aux chocs. Les transistors MOSFET sont utilisés dans divers dispositifs électroniques, notamment dans les situations nécessitant une commutation rapide et une conversion d'énergie efficace. Ils peuvent être utilisés dans un large éventail d'applications et présentent un bon rapport qualité-prix. Ils sont principalement utilisés dans les produits de forte puissance tels que la protection des batteries BMS, l'entraînement et la commande moteur, le redressement synchrone et les applications de commutation.

Fonctionnalités
  • Utilisation de la technologie avancée à double tranchée de MOT
  • Faible résistance à l'état passant (RDS(ON) ≤ 1,3 mΩ)
  • Faible charge de grille
  • Faible capacité de transfert inverse
  • Tests avalanche à 100 %
  • Sans placage plomb et conformité à RoHS
Applications
  • Systèmes de gestion de batteries (BMS)
  • Commandes et entraînements de moteur
  • Redressement synchrone
  • Applications de commutation

MOT1113T4 TOLT 100 V 1.1 mΩ N-Channel MOSFETs

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Date de publication : 2026-03-24