GSI Technology

DRAM à faible latence

Les LLDRAM de GSI Technology permettent des taux d'accès qu'on ne trouvait auparavant que dans les SRAM

Image des DRAM à faible latence de GSI TechnologyLes DRAM à faible latence (LLDRAM) de GSI Technology sont des dispositifs de mémoire haute vitesse conçus pour le traitement de données à haut débit d’adressage que l’on trouve généralement dans les applications de réseau et de télécommunications. L'architecture à 8 rangées et la faible valeur tRC permettent des taux d'accès qu'on ne trouvait auparavant que dans les SRAM.

Fonctionnalités
  • Compatibilité de broche et de fonction avec Micron RLDRAM® II
  • Fonctionnement DDR à 533 MHz (débit de données de 1,067 Gbit/s/broche)
  • Bande passante de crête 38,4 Gbit/s (x36 à une fréquence d’horloge de 533 MHz)
  • Organisations x36, x18 et x9 disponibles
  • Huit rangées internes pour un fonctionnement simultané et une bande passante maximale
  • Temps de cycle réduit (15 ns à 533 MHz)
  • Multiplexage d'adresses (option d'adresse non multiplexée disponible)
  • Interface de type SRAM
  • Latence de lecture (RL), temps de cycle de ligne et longueur de séquence rafale programmables
  • Latences de lecture et d'écriture équilibrées pour optimiser l'utilisation du bus de données
  • Masque de données pour les commandes d'écriture
  • Horloges à entrée différentielle (CK, CK)
  • Horloges de données à entrée différentielle (DKx, DKx)
  • DLL sur puce générant des données alignées côté horloge et des signaux d’horloge de données de sortie
  • Signaux de données valides (QVLD)
  • Rafraîchissement de 32 ms (rafraîchissement de 8 K pour chaque rangée ; une commande de rafraîchissement de 64 K doit être émise au total toutes les 32 ms)
  • Boîtier μBGA 144 billes
  • E/S HSTL (1,5 V ou 1,8 V nominal)
  • Sorties d'impédance adaptée de 25 Ω à 60 Ω
  • E/S VEXT de 2,5 V, VDD de 1,8 V, VDDQ de 1,5 V ou 1,8 V
  • RTT à terminaison sur puce (ODT)
  • Températures commerciales et industrielles

Applications

  • Tables de recherche
  • Mise en mémoire tampon de la file d'attente
  • Traitement d'images

LLDRAM IC's

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGAGS4288C36GL-18IIC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA0 - ImmédiatementSee Page for PricingAfficher les détails
IC DRAM 576MBIT HSTL 144FBGAGS4576C18GM-18IIC DRAM 576MBIT HSTL 144FBGA0 - ImmédiatementSee Page for PricingAfficher les détails
IC DRAM 576MBIT HSTL 144FBGAGS4576C36GM-18IIC DRAM 576MBIT HSTL 144FBGA0 - ImmédiatementSee Page for PricingAfficher les détails
Date de publication : 2020-10-23