MOSFET canal P série 1

Le MOSFET à canal P 60 V de Goford Semiconductor est disponible en options de boîtier D2PAK, TO-220 et POWER SO-8

Image du MOSFET à canal P série 1 de GofordLe MOSFET à canal P de Goford est un type de transistor à effet de champ à grille métal-oxyde (MOSFET) dont le canal est composé d'une majorité de trous comme porteurs de courant. Un avantage de la caractéristique MOSFET à canal P réside dans la technique d'attaque de grille simplifiée qui réduit souvent le coût global.

Goford propose diverses options de boîtiers, notamment P60V en D2PAK, TO-220 et POWER SO-8. Le dispositif utilise la technologie SGT et de tranchée avancée pour fournir une excellente valeur RDS(ON) et une faible charge de grille. Il peut être largement appliqué aux alimentations électriques, aux BMS et aux onduleurs solaires. Goford propose des MOSFET de -150 V à -12 V.

Fonctionnalités
  • Technique d'attaque de grille simplifiée
  • Commutation rapide
  • Robustesse contre le fonctionnement en avalanche
  • Produits disponibles avec protection contre les décharges électrostatiques
  • Conformité à RoHS et sans halogène
Applications
  • Commutateurs
  • Convertisseurs CC/CC
  • Onduleurs

P-Channel MOSFET Series 1

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8LGT065P06D5MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L1429 - Immédiatement$2.28Afficher les détails
P-60V,-25A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-G700P06D5P-60V,-25A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-1789 - Immédiatement$0.81Afficher les détails
MOSFET P-CH 60V 48A DFN5*6-8LG230P06D5MOSFET P-CH 60V 48A DFN5*6-8L3334 - Immédiatement$1.24Afficher les détails
P-60V,-40A,RD(MAX)<30M@-10V,VTH-G300P06D5P-60V,-40A,RD(MAX)<30M@-10V,VTH-2837 - Immédiatement$1.13Afficher les détails
P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3VG65P06D5P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V0$1.56Afficher les détails
P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VTG080P06MP-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT60 - Immédiatement$2.71Afficher les détails
P-60V,25A,RD<70M@-10V,VTH1V~-2.5G700P06TP-60V,25A,RD<70M@-10V,VTH1V~-2.516 - Immédiatement$1.96Afficher les détails
P-60V,-60A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-G230P06TP-60V,-60A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-107 - Immédiatement$1.53Afficher les détails
P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~G65P06TP-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~0$1.88Afficher les détails
P-60V,-82A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VTHGT065P06TP-60V,-82A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VTH7 - Immédiatement$2.85Afficher les détails
MOSFET, P-CH,-60V,-160A,RD(MAX)<GT042P06TMOSFET, P-CH,-60V,-160A,RD(MAX)<0$3.56Afficher les détails
P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VTG080P06TP-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT95 - Immédiatement$2.64Afficher les détails
Date de publication : 2024-07-15