Mémoires EEPROM série FT25Cxx

Les mémoires EEPROM série de Fremont Micro Devices prennent en charge les applications exigeant des opérations de lecture/écriture au niveau des octets. Les dispositifs de mémoire EEPROM à interface SPI de 20 MHz ne requièrent aucun effacement de secteur avant une opération d'écriture. Cela se traduit par des délais de programmation plus rapides, des tensions de programme inférieures et des opérations système simplifiées. En outre, les faibles courants de fonctionnement et de veille < 1 μA permettent aux mémoires EEPROM série de consommer très peu d'énergie lors du fonctionnement et en mode veille. Les dispositifs présentent une plage de tensions de fonctionnement complète entre 1,8 V et 5,5 V. Les dispositifs de mémoire EEPROM série SPI conviennent parfaitement aux applications basse tension et haute température, comme celles que l'on trouve dans de nombreuses conceptions industrielles, médicales et électroniques grand public.

Les dispositifs à 8 k bits, 16 k bits, 32 k bits et 64 k bits sont quatre membres de la gamme de mémoires non volatiles à interface périphérique série (SPI). La gamme SPI comprendra des matrices de densité mémoire allant de 2 k bits à 512 k bits. Les dispositifs sont conçus pour fonctionner entre -40°C et +85°C, et ils offrent des fonctionnalités et des performances qui font le succès de l'ensemble de la gamme de dispositifs de mémoire EEPROM série de FMD. Cela inclut plus d'un million de cycles d'effacement/d'écriture et une conservation des données de 100 ans. Ces composants sont disponibles en boîtiers SOIC-8 et TSSOP-8.