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MOSFET SuperFET® II à canal N, 600 V, 10,2 A, 380 mΩ
Le transistor MOSFET Super-Junction haute tension de On Semiconductor utilise la technologie d'équilibrage des charges
Le MOSFET SuperFET® II est le transistor MOSFET SJ (Super-Junction) haute tension première génération de On Semiconductor® utilisant la technologie d'équilibrage des charges pour des performances exceptionnelles en matière de faible charge de grille et de faible résistance à l'état passant. Cette technologie de pointe est conçue pour minimiser les pertes de conduction, offrir des performances de commutation supérieures et résister à un rapport dv/dt extrême et à une énergie d'avalanche plus élevée. Le MOSFET SuperFET II est donc parfaitement adapté à la conversion de puissance CA/CC pour la miniaturisation système et un rendement plus élevé.
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SuperFET II MOSFET
| Image | Référence fabricant | Description | Tension drain-source (Vdss) | Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Quantité disponible | Prix | ||
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 |  | FCPF380N60-F152 | MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F-3 | 600 V | 10,2 A (Tc) | 0 - Immédiatement | See Page for Pricing | Afficher les détails |
Date de publication : 2013-09-17
