MRAM xSPI PERSYST : mémoire haute fiabilité pour applications stratégiques

Everspin Technologies lance la MRAM xSPI PERSYST, une gamme de mémoires haute fiabilité conçue pour l'aérospatiale, la défense, le nouvel espace et d'autres systèmes stratégiques nécessitant une conservation robuste des données dans des conditions environnementales et opérationnelles extrêmes. Basée sur la technologie éprouvée de mémoire vive magnétorésistive à couple de transfert de spin (STT MRAM) d'Everspin, elle offre une véritable non-volatilité, un accès direct rapide et une endurance de pointe sans batteries, ni cycles de rafraîchissement, ni répartition de l'usure, ni données à risque.

Ces ajouts PERSYST améliorent les dispositifs MRAM standard d'Everspin grâce à des étapes de sélection et de qualification supplémentaires adaptées aux environnements haute fiabilité. Chaque dispositif subit un processus de vieillissement de 48 heures conçu pour identifier et éliminer les défaillances précoces, ce qui permet d'améliorer la fiabilité tout au long des missions et d'obtenir des performances prévisibles à long terme. Ces dispositifs prennent en charge un fonctionnement dans une plage de températures de -40°C à +125°C, ce qui leur permet de fonctionner dans les conditions thermiques difficiles fréquentes dans les modules avioniques, les plateformes à haute altitude, les systèmes de contrôle de propulsion et les équipements industriels haute température. Ils sont construits et testés conformément à la spécification AEC-Q100 grade 1.

Pour prendre en charge les applications exposées aux rayonnements, Everspin fournit un rapport de caractérisation des rayonnements détaillant les performances avec dose ionisante totale (TID) supérieure à 1 Mrad, les tests liés aux effets de particules isolées (SEE) et les données pertinentes quant aux limites de fonctionnement. Ce rapport aide les concepteurs de systèmes à évaluer les composants destinés aux programmes spatiaux, aérospatiaux, médicaux et autres programmes stratégiques exigeant un comportement prévisible dans des environnements exposés aux rayonnements.

En tant qu'extension haute fiabilité compatible avec la gamme de MRAM xSPI PERSYST, ces dispositifs ouvrent une voie fluide pour moderniser les systèmes existants basés sur les technologies FRAM, SRAM et nvSRAM. Grâce à leur endurance quasi illimitée et à leur non-volatilité instantanée, ces dispositifs éliminent les complexités associées aux solutions basées sur mémoire Flash et EEPROM, simplifiant ainsi le développement de micrologiciels tout en améliorant la résilience du système à long terme. La combinaison de la conception robuste, de la sélection améliorée et des performances prévisibles dans diverses conditions de température et de rayonnement aide les concepteurs qui ne peuvent pas faire de compromis quant à la fiabilité.