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Carte d'évaluation GaN en demi-pont EPC9201
La carte de développement d'EPC est destinée à une évaluation comparative avec une basse température ambiante et un refroidissement par convection
La carte de développement d'EPC, qui mesure 11 mm x 12 mm, contient deux transistors à effet de champ (FET) à mode d'enrichissement (eGaN®) organisés en configuration en demi-pont avec un circuit d'attaque de grille intégré LM5113 de Texas Instruments. L'objectif de ces cartes de développement est de simplifier le processus d'évaluation en optimisant la configuration et en incluant tous les composants stratégiques sur une seule carte pouvant être facilement connectée à tout convertisseur existant.
L'ajout de refroidissement à air forcé et de dissipation thermique permet d'améliorer considérablement le courant nominal de ces dispositifs, mais il faut veiller à ne pas dépasser la température absolue maximale de la puce de 150°C.
| Applications | Avantages |
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EPC9201 GaN Half Bridge Eval Board
| Image | Référence fabricant | Description | Embarqué | Circuit intégré/composant utilisé | Quantité disponible | Prix | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | EPC9201 | EVAL BOARD FOR EPC2015 | Non | EPC2015 | 0 - Immédiatement | See Page for Pricing | Afficher les détails |
Date de publication : 2015-05-08
France