Cartes de développement EPC9052/53/54

Les cartes de développement en mode différentiel à base de nitrure de gallium (GaN) d'EPC peuvent fonctionner jusqu'à 30 MHz. Ces cartes offrent un moyen facile pour les concepteurs de réseaux de distribution d'évaluer les performances exceptionnelles de transistors au nitrure de gallium et de les produire rapidement en série. Ces cartes de développement sont conçues pour les applications de classe E, telles que la recharge sans fil, mais elles peuvent être utilisées pour toutes les applications dans lesquelles un commutateur bas potentiel est requis. À titre d'exemples, citons les convertisseurs Push-Pull ; les amplificateurs de classe D en mode courant ; les commutateurs bidirectionnels de source commune ; les applications à largeurs d'impulsions étroites génériques haute tension, comme LiDAR ; et bien plus encore.

Ces cartes de développement présentent des transistors à effet de champ (FET) eGaN caractérisés à 200 V. Les amplificateurs sont définis pour fonctionner en mode différentiel et peuvent être reconfigurés pour fonctionner en mode asymétrique. Par ailleurs, ils incluent le circuit d'attaque de grille et le régulateur d'alimentation logique. Les trois cartes présentent toutes des caractéristiques de préférence communes. Les conditions de charge de fonctionnement, notamment la configuration, permettent de déterminer la tension de charge de conception optimale, ainsi que la résistance.