Circuit intégré d'étage ePower™ EPC23102

Les circuits intégrés d'étage de puissance d'EPC offrent une commutation ultrarapide et des performances efficaces

Image du circuit intégré d'étage ePower™ EPC23102 d'EPCLe dispositif EPC23102 d'EPC intègre un étage de puissance demi-pont GaN complet, capable de fonctionner jusqu'à 35 A à 1 MHz, offrant des performances supérieures et une taille de solution plus compacte pour les applications à haute densité de puissance, notamment la conversion CC/CC, les entraînements de moteur et les amplificateurs audio de classe D.

Fonctionnalités
  • Circuit intégré d'étage de puissance tout-en-un intégrant des FET GaN haut potentiel et bas potentiel, un circuit d'attaque de grille interne, un translateur de niveau, une charge auto-élévatrice synchrone et une interface logique dans un boîtier QFN compact de 3,5 mm x 5 mm
  • Haute tenue en tension et courant : conception pour un courant de charge jusqu'à 35 A (à 1 MHz) et une entrée maximale de 100 V
  • Faible valeur RDS(ON) : 6,6 mΩ pour les FET haut potentiel et bas potentiel, ce qui minimise les pertes par conduction
  • Commutation ultrarapide : capacité de fonctionnement au-dessus de 1 MHz pour les convertisseurs haute fréquence
  • Performances efficaces : rendement de pointe supérieur à 96 % démontré dans un convertisseur abaisseur de 48 V à 12 V à 1 MHz, gérant une charge continue de 8 A à 17 A

EPC23102 ePower™ Stage IC

ImageRéférence fabricantDescriptionConfiguration de sortieApplicationsInterfaceQuantité disponiblePrixAfficher les détails
IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFNEPC23102IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFNDemi- pontMoteurs CC, convertisseurs CC/CCPWM7959 - Immédiatement$7.13Afficher les détails

EPC90147 Development Board

ImageRéférence fabricantDescriptionTypeFonctionEmbarquéQuantité disponiblePrixAfficher les détails
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Date de publication : 2025-09-03