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FET GaN EPC2252 de 80 V qualifié pour l'industrie automobile
Le transistor de puissance à enrichissement d'EPC est idéal pour la conception de systèmes LiDAR à haute résolution
Le transistor EPC2252 de 80 V, 11 mΩ d'EPC fournit un courant pulsé de 75 A dans une empreinte de 1,5 mm x 1,5 mm. L'EPC2252 offre aux concepteurs de systèmes d'alimentation des dispositifs beaucoup plus petits et plus performants que les MOSFET en silicium pour les systèmes LiDAR de qualité automobile utilisés dans les applications de conduite autonome et d'autres applications ADAS (systèmes d'aide à la conduite), la conversion de 48 VCC/CC à 12 VCC/CC et les entraînements de moteur à faible inductance.
La vitesse de commutation rapide du GaN, avec des transitions inférieures à la nanoseconde et la possibilité de générer des impulsions à fort courant en moins de 3 ns, permettent d'obtenir une plus grande portée et une meilleure résolution dans les systèmes LiDAR pour la conduite autonome, le stationnement et la prévention des collisions.
- Haute fréquence de commutation
- ID : 8,2 A
- VDS : 80 V
- RDS(ON) : 11 mΩ max.
- Empreinte ultracompacte : 1,5 mm x 1,5 mm
- Haut rendement
- Qualification AEC‑Q101
- Conversion CC/CC automobile de 48 V
- Véhicules électriques semi-hybrides
- Infodivertissement
- LiDAR automobile
- Véhicules autonomes
- Électromobilité
- Serveurs 48 V
- Convertisseurs de point de charge
- Audio classe D
- Éclairage LED
- Entraînements de moteur à faible inductance
EPC2252 Automotive Qualified 80 V GaN FET
| Image | Référence fabricant | Description | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | EPC2252 | TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA | 8547 - Immédiatement | $2.22 | Afficher les détails |
France