MOSFET de puissance DI2A2N100D1K

Les MOSFET haute tension DI2A2N100D1K de Diotec Semiconductor offrent une protection de grille et une faible valeur RDSon

Image of Diotec Semiconductor DI2A2N100D1K Power MOSFETLe DI2A2N100D1K de Diotec Semiconductor est un MOSFET de puissance haute tension à canal N en boîtier DPAK. Avec des valeurs nominales de 2,2 A et 1 000 V, il présente une tension drain-source élevée, une faible résistance à l'état passant, des temps de commutation rapides, un indice d'avalanche et une protection DES. Ce dispositif est conçu pour garantir une capacité dv/dt élevée dans les applications les plus exigeantes, améliorant ainsi le rendement global. Plage de températures de jonction de fonctionnement : -55°C à +150°C En tant que telle, cette pièce est parfaitement adaptée à diverses applications commerciales et industrielles, mais principalement aux applications de commutation, notamment les compteurs d'énergie, les systèmes de gestion de batterie, les alimentations, les convertisseurs CC/CC et bien d'autres encore.

Fonctionnalités
  • Tension drain-source élevée
  • Grilles de protection DES
  • Temps de commutation rapides
  • Faible charge de grille
  • Faible résistance thermique
  • Courant d'avalanche
Applications
  • Alimentations
  • Systèmes de gestion de batteries (BMS)
  • Compteurs d'énergie
  • Convertisseurs CC/CC
  • Découpage
Spécifications
  • Tension drain-source de 1000 V (VDSS)
  • 2,2 A de courant de drain continu (ID)
  • Résistance typique à l'état passant de 5,4 Ω (RDS(on))
  • Courant de fuite drain-source de 1 µA (IDSS)
  • ±25 V de tension grille-source continue (VGSS)
  • Dissipation de puissance de 30 W (Ptot)
  • Courant de drain de crête de 25 A (IDM)
 
  • Courant de source continu de 8 A (IS)
  • Courant de source de crête (ISM) de 6 A
  • 45 mJ d'énergie d'avalanche à impulsion unique (EAS)
  • < 4,2 K/W de résistance thermique (RthC)
  • Plage de températures de jonction de fonctionnement (Tj) de -55°C à +150°C
  • Source de grille protégée contre les DES 2000 V

DI2A2N100D1K Power MOSFET

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
MOSFET N-CH 1000V 2.2A TO-252-3DI2A2N100D1KMOSFET N-CH 1000V 2.2A TO-252-34196 - Immédiatement$1.70Afficher les détails
Date de mise à jour : 2026-01-05
Date de publication : 2024-04-10