Transistors bipolaires série DXTN/P 78Q et 80Q

Les séries DXTN/P 78Q et 80Q de Diodes Incorporated, conformes aux normes automobiles, sont composées de transistors bipolaires NPN et PNP à valeur VCE(sat) ultrafaible.

Les douze dispositifs, couvrant des tensions nominales de 30 V, 60 V et 100 V, offrent une efficacité de conduction et des performances thermiques exceptionnelles pour les applications exigeantes de contrôle et de commutation de puissance dans le secteur automobile.

Adaptés aux systèmes 12 V, 24 V et 48 V, ils prennent en charge des applications comme l'attaque de grille MOSFET et IGBT, la commutation de charge, la régulation LDO, la conversion CC/CC et la commande de moteurs et d'actionneurs. Conçus pour résister à +175°C avec une grande robustesse DES (HBM 4 kV, CDM 1 kV), ils garantissent un fonctionnement fiable dans les environnements difficiles.

Le boîtier PowerDI®3333-8 compact (3,3 mm x 3,3 mm) réduit l'empreinte du circuit imprimé jusqu'à 75 % par rapport à un boîtier SOT223 et offre une résistance thermique ultrafaible (4,2°C/W).

La technologie à placage latéral (SWP) améliore la visibilité AOI et la résistance des joints de soudure pour une fabrication rentable et fiable.

Avec une valeur BVCEO jusqu'à 100 V, un courant continu jusqu'à 10 A (20 A en crête) et une tension de saturation de seulement 17 mV, ces transistors réduisent les pertes par conduction jusqu'à 50 %, ce qui permet des conceptions plus froides et plus efficaces.