La mémoire Flash série FL-S de Infineon offre une mémoire Flash NOR SPI quadruple rapide avec des densités de 128 Mb à 1 Gb pour les systèmes embarqués hautes performances. La gamme FL-S est qualifiée AEC-Q100 et prend en charge PPAP pour les clients automobiles, à des plages de températures étendues de -40°C à +125°C.
La gamme FL-S offre des vitesses de lecture en modes E/S simple, double et quadruple jusqu'à un débit de données simple (SDR) de 133 MHz et un débit de données double (DDR) de 80 MHz, offrant une bande passante de lecture jusqu'à 80 Mbps. Les performances de programmation de pointe (jusqu'à 1,08 Mbps) accélèrent le rendement de fabrication et diminuent considérablement les coûts de programmation.
| Fonctionnalités |
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- Taille de secteur de paramètre : 4 Ko uniforme, taille de secteur de 64 Ko (hybride) et secteurs uniformes de 256 Ko
- Fréquence d'horloge (SDR) : 104 MHz
- Fréquence d'horloge (DDR) : 80 MHz
- Plages de températures :
- Grade automobile 1 (-40°C à +125°C)
- Grade automobile 2 (-40°C à +105°C)
- Grade automobile 3 (-40°C à +85°C)
- Plage industrielle étendue : -40°C à +105°C
- Plage industrielle : -40°C à +85°C
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- Délais d'effacement de secteur (typ.) : 130 ms (64 Ko)
- Alimentation
- Tension d'alimentation de 2,7 V à 3,6 V
- Courant actif de 90 mA (max.)
- Courant de veille de 70 μA (typ.)
- Conservation des données : 20 ans (min.)
- Endurance de cycles : 100 000 cycles (min.) de programmation/d'effacement
- Délais de programmation de page : 250 μs (256 octets)
- Bande passante de lecture : 80 Mbps (DDR)
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La mémoire Flash série FL-S de Infineon offre une mémoire Flash NOR SPI quadruple rapide avec des densités de 128 Mb à 1 Gb pour les systèmes embarqués hautes performances. La gamme FL-S est qualifiée AEC-Q100 et prend en charge PPAP pour les clients automobiles, à des plages de températures étendues de -40°C à +125°C.
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