Mémoire HyperRAM

Le dispositif HyperRAM™ 64 Mo de Infineon est une mémoire RAM dynamique (DRAM) haute vitesse à rafraîchissement automatique avec une interface HyperBus™ pour les systèmes nécessitant une mémoire de travail étendue, et il est idéal pour les systèmes sur puce avec capacité de RAM limitée en fournissant une solution évolutive pour l'extension d'opérations de lecture et d'écriture rapides en externe. HyperRAM fournit une bande passante de lecture/écriture pouvant atteindre 333 Mbit/s en mode DDR.

La famille de mémoire HyperRAM de Infineon est initialement offerte avec une option d'alimentation de 3 V et une capacité de 64 Mo, mais d'autres densités et tensions viendront s'y ajouter. Les mémoires HyperRAM seront disponibles en boîtier BGA compact de 8 mm x 6 mm. Lorsqu'ils sont associés à une mémoire HyperFlash, les deux produits se trouvent sur la même interface HyperBus, ce qui se traduit par une réduction significative du nombre de signaux qui doivent être acheminés sur la carte à circuit imprimé par rapport à la mémoire DRAM générique. Cela garantit une solution simple et économique pour les concepteurs au niveau du système.

La mémoire HyperRAM partage une empreinte commune avec la mémoire NOR Flash HyperFlash™. La mémoire HyperRAM est disponible dans une plage de températures de fonctionnement industrielles étendue allant de -40°C à +105°C. Infineon met en œuvre des tests et des processus de qualification rigoureux afin de s'assurer que tous les composants répondent aux exigences de qualité de classe mondiale et a obtenu une homologation AEC-Q100.