Relais MOSFET en carbure de silicium CotoMOS® S117T/S117S

Les relais MOSFET en carbure de silicium (SiC) S117T (version traversante) et S117S (version à montage en surface) de Coto Technology sont conçus pour gérer des tensions de charge allant jusqu'à 1700 V, tout en prenant en charge des courants jusqu'à 170 mA. Les relais SiC S117T et S117S offrent plusieurs avantages, notamment de faibles pertes de commutation, une tension de claquage élevée et une faible résistance R_DS(ON). La durabilité remarquable du matériau SiC garantit des performances fiables en environnements difficiles, même sous une humidité variable et sur un large spectre de températures. Ces relais sont particulièrement adaptés aux applications exigeant des capacités haute tension, haute température et haute fréquence. Les principaux marchés cibles incluent les systèmes de gestion de batterie, le contrôle de l'automatisation des usines, les stations de recharge pour véhicules électriques, les onduleurs solaires et les réseaux intelligents.