Amplificateur à faible bruit HMC8411

Le dispositif HMC8411LP2FE d'Analog Devices est un amplificateur large bande à faible bruit en arséniure de gallium (GaAs), avec circuit intégré monolithique hyperfréquence (MMIC) et transistor HEMT (pHEMT) qui fonctionne de 0,01 GHz à 10 GHz. Il fournit un gain typique de 15,5 dB, un facteur de bruit typique de 1,7 dB et une interception de troisième ordre de sortie typique (OIP3) de 34 dBm, ne nécessitant que 55 mA à partir d'une tension d'alimentation de 5 V. La puissance de sortie saturée (P_SAT) de 19,5 dBm (typ.) permet à l'amplificateur à faible bruit (LNA) de fonctionner comme un circuit d'attaque d'oscillateur local (LO) pour de nombreux mélangeurs équilibrés, en phase/quadrature (I/Q) ou à réjection d'image d'Analog Devices.

Le HMC8411LP2FE dispose également d'entrées et de sorties adaptées en interne à 50 Ω, ce qui le rend parfaitement adapté aux applications de faisceaux hertziens haute capacité basées sur la technologie de montage en surface (CMS). Il est logé dans un boîtier LFCSP de 2 mm × 2 mm à 6 sorties, conforme à RoHS. La carte d'évaluation EV1HMC8411LP2F est une carte à 2 couches fabriquée à l'aide du matériau Rogers 4350 et utilisant les meilleures pratiques pour la conception RF haute fréquence. Les pistes d'entrée RF et de sortie RF présentent une impédance caractéristique de 50 Ω.