Name: SQJ912DEP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ912DEP-T1_GE3TR-ND
Price: 1.632 EUR
Availability: InStock

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SQJ912DEP-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SQJ912DEP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SQJ912DEP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SQJ912DEP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQJ912DEP-T1_GE3
Description	MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	32 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 40V 30 A (Tc) 27W (Tc) Montage en surface powerPAK® SO-8 double
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SQJ912DEP-T1_GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	40V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	30 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	7,3mohms à 7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	36nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	-
Puissance - Max.	27W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	powerPAK® SO-8 double
Boîtier fournisseur	powerPAK® SO-8 double
Numéro de produit de base	SQJ912