Name: SIZ926DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZ926DT-T1-GE3TR-ND
Price: 1.896 EUR
Availability: InStock

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SIZ926DT-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIZ926DT-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIZ926DT-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIZ926DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIZ926DT-T1-GE3
Description	MOSFET 2N-CH 25V 40A 8POWERPAIR
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 25V 40 A (Tc), 60 A (Tc) 20,2W, 40W Montage en surface 8-PowerPair® (6x5)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET® Gen IV
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	25V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	40 A (Tc), 60 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	4,8mohms à 5A, 10V, 2,2mohms à 8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	19nC à 10V, 41nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	925pF à 10V, 2 150pF à 10V
Puissance - Max.	20,2W, 40W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-PowerWDFN
Boîtier fournisseur	8-PowerPair® (6x5)
Numéro de produit de base	SIZ926