Name: SIZ200DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZ200DT-T1-GE3TR-ND
Price: 1.608 EUR
Availability: OutOfStock

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SIZ200DT-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIZ200DT-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIZ200DT-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIZ200DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIZ200DT-T1-GE3
Description	MOSFET 2N-CH 30V 22A 8POWERPAIR
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	28 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 22 A (Ta), 61 A (Tc), 22 A (Ta), 60 A (Tc) 4,3W (Ta), 33W (Tc) Montage en surface 8-PowerPair® (3,3x3,3)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SIZ200DT-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET® Gen IV
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	22 A (Ta), 61 A (Tc), 22 A (Ta), 60 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	5,5mohms à 10A, 10V, 5,8mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	28nC à 10V, 30nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1510pF à 15V, 1600pF à 15V
Puissance - Max.	4,3W (Ta), 33W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-PowerWDFN
Boîtier fournisseur	8-PowerPair® (3,3x3,3)
Numéro de produit de base	SIZ200