Name: SI7998DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7998DP-T1-GE3TR-ND
Price: 2.196 EUR
Availability: InStock

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SI7998DP-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI7998DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI7998DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI7998DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI7998DP-T1-GE3
Description	MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 25A, 30A 22W, 40W Montage en surface powerPAK® SO-8 double
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SI7998DP-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	25A, 30A
Rds On (max.) à Id, Vgs	9,3mohms à 15A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	26nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1100pF à 15V
Puissance - Max.	22W, 40W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	powerPAK® SO-8 double
Boîtier fournisseur	powerPAK® SO-8 double
Numéro de produit de base	SI7998