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V4P22C-M3/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Équivalent paramétrique

V4P22CHM3/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Fiche technique

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V4P22CHM3/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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V4P22CHM3_A/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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V4P22CHM3_A/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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TO-277A
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TO-277A
TO-277A

V4P22C-M3/I

Numéro de produit DigiKey
112-V4P22C-M3/ITR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numéro de produit du fabricant
V4P22C-M3/I
Description
DIODE ARR SCHOT 200V 2.8A TO277A
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
10 semaines
Référence client
Description détaillée
Réseau de diodes 1 paire de cathodes communes 200 V 2,8A Montage en surface TO-277, 3-PowerDFN
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Configuration de diode
1 paire de cathodes communes
Technologies
Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
200 V
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)
2,8A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
870 mV @ 2 A
Vitesse
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
Courant - Fuite inverse à Vr
50 µA @ 200 V
Température de fonctionnement - Jonction
-40°C ~ 175°C
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
TO-277, 3-PowerDFN
Boîtier fournisseur
TO-277A (SMPC)
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Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
6 5000,18637 €1 211,40 €
13 0000,17309 €2 250,17 €
19 5000,16633 €3 243,43 €
32 5000,16577 €5 387,52 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,18637 €
Prix unitaire avec TVA:0,22364 €