Name: TRS2E65F,S1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS2E65FS1Q-ND
Price: 1.884 EUR
Availability: InStock

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TRS2E65F,S1Q
Numéro de produit DigiKey	264-TRS2E65FS1Q-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TRS2E65F,S1Q
Description	DIODE SIL CARB 650V 2A TO220-2L
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Diode 650 V 2A Trou traversant TO-220-2L
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Diodes simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Technologies	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)	650 V
Courant - Moyen redressé (Io)	2A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If	1.6 V @ 2 A
Vitesse	Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)	0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr	20 µA @ 650 V
Capacité à Vr, F	8,7pF à 650V, 1MHz
Type de montage	Trou traversant
Boîtier	TO-220-2
Boîtier fournisseur	TO-220-2L
Température de fonctionnement - Jonction	175°C (maxi)
Numéro de produit de base	TRS2E65

Questions et réponses sur les produits

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	1,57000 €	1,57 €
50	0,56620 €	28,31 €
100	0,50410 €	50,41 €
500	0,43856 €	219,28 €
1 000	0,43533 €	435,33 €
2 000	0,41566 €	831,32 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.