Name: SSM6N35FE,LM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6N35FELMTR-ND
Price: 0.348 EUR
Availability: OutOfStock

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SSM6N35FE,LM
Numéro de produit DigiKey	SSM6N35FELMTR-ND - Bande et bobine SSM6N35FELMCT-ND - Bande coupée (CT) SSM6N35FELMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM6N35FE,LM
Description	MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 180mA 150mW Montage en surface ES6
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM6N35FE,LM Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	180mA
Rds On (max.) à Id, Vgs	3ohms à 50mA, 4V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	-
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	9,5pF à 3V
Puissance - Max.	150mW
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	SOT-563, SOT-666
Boîtier fournisseur	ES6
Numéro de produit de base	SSM6N35

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