Name: RN2113ACT(TPL3)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN2113ACT(TPL3)TR-ND
Price: 0.07249 EUR
Availability: InStock

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RN2113ACT(TPL3)
Numéro de produit DigiKey	RN2113ACT(TPL3)TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	RN2113ACT(TPL3)
Description	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Référence client
Description détaillée	Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples prépolarisés PNP - Prépolarisé 50 V 80 mA 100 mW Montage en surface CST3

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Transistors bipolaires prépolarisés, simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de transistor	PNP - Prépolarisé
Courant - Collecteur (Ic) (max.)	80 mA
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)	50 V
Résistances incluses	R1 uniquement
Résistance - Base (R1)	47 kOhms
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce	120 à 1mA, 5V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic	150mV à 250µA, 5mA
Courant - Résiduel de collecteur (max.)	100 nA (ICBO)
Puissance - Max.	100 mW
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	SC-101, SOT-883
Boîtier fournisseur	CST3
Numéro de produit de base	RN2113

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Quantité

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Bande et bobine