MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage | Produits semi-conducteurs discrets

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MT3S111(TE85L,F)
Numéro de produit DigiKey	MT3S111(TE85LF)TR-ND - Bande et bobine MT3S111(TE85LF)CT-ND - Bande coupée (CT) MT3S111(TE85LF)DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	MT3S111(TE85L,F)
Description	RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ S MINI
Référence client
Description détaillée	RF Transistor NPN 6V 100mA 11,5GHz 700mW Montage en surface S-mini
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Transistors RF bipolaires
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de transistor	NPN
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)	6V
Fréquence - Transition	11,5GHz
Facteur de bruit (dB typ. à f)	1,2dB à 1GHz
Gain	12dB
Puissance - Max.	700mW
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce	200 à 30mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (max.)	100mA
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Boîtier fournisseur	S-mini
Numéro de produit de base	MT3S111

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Quantité

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Bande et bobine