GT50JR22(STA1,E,S)
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GT40QR21(STA1,E,D

Numéro de produit DigiKey
264-GT40QR21(STA1ED-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
GT40QR21(STA1,E,D
Description
IGBT 1200V 40A TO-3P
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
12 semaines
Référence client
Description détaillée
IGBT 1200 V 40 A 230 W Trou traversant TO-3P(N)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type d'IGBT
-
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
40 A
Courant - Impulsion collecteur (Icm)
80 A
Vce(on) (max.) à Vge, Ic
2,7V à 15V, 40A
Puissance - Max.
230 W
Énergie de commutation
-, 290µJ (arrêt)
Type d'entrée
Standard
Td (on/off) à 25°C
-
Condition de test
280V, 40A, 10ohms, 20V
Temps de recouvrement inverse (trr)
600 ns
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Type de montage
Trou traversant
Boîtier
TO-3P-3, SC-65-3
Boîtier fournisseur
TO-3P(N)
Numéro de produit de base
Questions et réponses sur les produits

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En stock: 25
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Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
14,58000 €4,58 €
252,64880 €66,22 €
1002,18760 €218,76 €
5001,81846 €909,23 €
1 0001,78246 €1 782,46 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:4,58000 €
Prix unitaire avec TVA:5,49600 €