2SA1930(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage | Produits semi-conducteurs discrets

2SA1930(Q,M) est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Toshiba Semiconductor and Storage

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Prix unitaire : 0,69000 €

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2SA1930(Q,M)
Numéro de produit DigiKey	2SA1930QM-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	2SA1930(Q,M)
Description	TRANS PNP 180V 2A TO-220NIS
Référence client
Description détaillée	Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples PNP 180 V 2 A 200MHz 2 W Trou traversant TO-220NIS
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Transistors bipolaires simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	En vrac
Statut du composant	Obsolète
Type de transistor	PNP
Courant - Collecteur (Ic) (max.)	2 A
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)	180 V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic	1V à 100mA, 1A
Courant - Résiduel de collecteur (max.)	5µA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce	100 à 100mA, 5V
Puissance - Max.	2 W
Fréquence - Transition	200MHz
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Trou traversant
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Boîtier fournisseur	TO-220NIS
Numéro de produit de base	2SA1930