STP10NM60ND STMicroelectronics | Produits semi-conducteurs discrets

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STP10NM60ND
Numéro de produit DigiKey	497-12276-ND
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	STP10NM60ND
Description	MOSFET N-CH 600V 8A TO220
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 8 A (Tc) 70W (Tc) Trou traversant TO-220
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	STP10NM60ND Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	STMicroelectronics
Série	FDmesh™ II
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	600mohms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	577 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	70W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	STP10

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En stock: 626

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	2,22000 €	2,22 €
50	1,08800 €	54,40 €
100	0,97830 €	97,83 €
500	0,78572 €	392,86 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.