Name: STD18N60M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STD18N60M6TR-ND
Price: 2.328 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

STD18N60M6
Numéro de produit DigiKey	497-STD18N60M6TR-ND - Bande et bobine 497-STD18N60M6CT-ND - Bande coupée (CT) 497-STD18N60M6DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	STD18N60M6
Description	MOSFET N-CH 600V 13A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	14 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 13 A (Tc) 110W (Tc) Montage en surface TO-252 (DPAK)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	STMicroelectronics
Série	MDmesh™ M6
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	13 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	280mohms à 6,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,75V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	16.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	650 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	110W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252 (DPAK)
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	STD18