SCTW35N65G2V est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SCTW35N65G2V

Numéro de produit DigiKey
497-SCTW35N65G2V-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SCTW35N65G2V
Description
SICFET N-CH 650V 45A HIP247
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 45 A (Tc) 240W (Tc) Trou traversant HiP247™
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SCTW35N65G2V Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
18V, 20V
Rds On (max.) à Id, Vgs
67mohms à 20A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
73 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+22V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1370 pF @ 400 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
240W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 200°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
HiP247™
Boîtier
Numéro de produit de base
Questions et réponses sur les produits

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Obsolète
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