Name: SCT027W65G3-4AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT027W65G3-4AG-ND
Price: 8.55064 EUR
Availability: OutOfStock

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SCT027W65G3-4AG
Numéro de produit DigiKey	497-SCT027W65G3-4AG-ND
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	SCT027W65G3-4AG
Description	TO247-4
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 60 A (Tc) 313W (Tc) Trou traversant TO-247-4
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SCT027W65G3-4AG Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	STMicroelectronics
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	60 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	15V, 18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	39,3mohms à 30A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	4,2V à 5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	51 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+22V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1229 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	313W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 200°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247-4
Boîtier	TO-247-4

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
600	7,12553 €	4 275,32 €

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