
S3M0012120K | |
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Numéro de produit DigiKey | 1655-S3M0012120K-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | S3M0012120K |
Description | DIODE MOSFETS SILICON CARBIDES 1 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 12 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 1200 V 155 A (Tc) 937W (Tc) Trou traversant TO-247-4 |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | - | |
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 1200 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 18V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 16mohms à 100A, 18V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4V à 40mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 347 nC @ 18 V | |
Vgs (max.) | +18V, -4V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 6358 pF @ 1000 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 937W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Trou traversant | |
Boîtier fournisseur | TO-247-4 | |
Boîtier |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 17,59000 € | 17,59 € |
| 30 | 11,07300 € | 332,19 € |
| 120 | 9,99017 € | 1 198,82 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 17,59000 € |
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| Prix unitaire avec TVA: | 21,10800 € |


