Diode 650 V 12A Trou traversant TO-220ACFP
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Diode 650 V 12A Trou traversant TO-220ACFP
4th Gen SiC MOSFETs

SCS212AGC17

Numéro de produit DigiKey
846-SCS212AGC17-ND
Fabricant
Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
SCS212AGC17
Description
DIODE SIC 650V 12A TO220ACFP
Référence client
Description détaillée
Diode 650 V 12A Trou traversant TO-220ACFP
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Rohm Semiconductor
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Pas pour les nouvelles conceptions
Technologies
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
650 V
Courant - Moyen redressé (Io)
12A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.55 V @ 12 A
Temps de recouvrement inverse (trr)
0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
240 µA @ 600 V
Capacité à Vr, F
438pF à 1V, 1MHz
Type de montage
Trou traversant
Boîtier
TO-220-2
Boîtier fournisseur
TO-220ACFP
Température de fonctionnement - Jonction
175°C
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En stock: 930
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Non recommandé pour une nouvelle conception, des quantités minimum peuvent s'appliquer. Voir Produits de substitution.
Non annulable/Non remboursable
Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
15,73000 €5,73 €
503,05880 €152,94 €
1002,80080 €280,08 €
5002,69128 €1 345,64 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:5,73000 €
Prix unitaire avec TVA:6,87600 €