Name: RF4G100BGTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RF4G100BGTCRTR-ND
Price: 1.416 EUR
Availability: InStock

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RF4G100BGTCR
Numéro de produit DigiKey	846-RF4G100BGTCRTR-ND - Bande et bobine 846-RF4G100BGTCRCT-ND - Bande coupée (CT) 846-RF4G100BGTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RF4G100BGTCR
Description	NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	21 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 10 A (Ta) 2W (Ta) Montage en surface DFN2020-8S
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	14,2mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	10.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	530 pF @ 20 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	DFN2020-8S
Boîtier	8-PowerUDFN
Numéro de produit de base	RF4G100