Name: RF4G100BGTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RF4G100BGTCRTR-ND
Price: 1.512 EUR
Availability: InStock

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RF4G100BGTCR
Numéro de produit DigiKey	846-RF4G100BGTCRTR-ND - Bande et bobine 846-RF4G100BGTCRCT-ND - Bande coupée (CT) 846-RF4G100BGTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RF4G100BGTCR
Description	NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 10 A (Ta) 2W (Ta) Montage en surface DFN2020-8S
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 10.6 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 530 pF @ 20 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 2W (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10 A (Ta)	Boîtier fournisseur DFN2020-8S
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerUDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 14,2mohms à 10A, 10V	Numéro de produit de base RF4G100

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