Name: NXH010P120M3F1PTG
Brand: onsemi
SKU: 5556-NXH010P120M3F1PTG-ND
Price: 88.368 EUR
Availability: InStock

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NXH010P120M3F1PTG
Numéro de produit DigiKey	5556-NXH010P120M3F1PTG-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NXH010P120M3F1PTG
Description	MOSFET 2N-CH 1200V 105A
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	19 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 105 A (Tc) 272W (Tj) Montage sur châssis
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Plateau
Statut du composant	Actif
Technologies	Carbure de silicium (SiC)
Configuration	2 canaux N (demi-pont)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	105 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	14,5mohms à 90A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	4,4V à 45mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	314nC à 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	6451pF à 800V
Puissance - Max.	272W (Tj)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage sur châssis
Boîtier	Module
Boîtier fournisseur	-
Numéro de produit de base	NXH010

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En stock: 13

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Quantité

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Plateau

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	73,64000 €	73,64 €
28	59,06179 €	1 653,73 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.