MMBTH10-4LT1G onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

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MMBTH10-4LT1G
Numéro de produit DigiKey	MMBTH10-4LT1GOSTR-ND - Bande et bobine MMBTH10-4LT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) MMBTH10-4LT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	MMBTH10-4LT1G
Description	RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT-23-3
Référence client
Description détaillée	RF Transistor NPN 25V 800MHz 225mW Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	MMBTH10-4LT1G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Transistors RF bipolaires
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de transistor	NPN
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)	25V
Fréquence - Transition	800MHz
Facteur de bruit (dB typ. à f)	-
Gain	-
Puissance - Max.	225mW
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce	120 à 4mA, 10V
Courant - Collecteur (Ic) (max.)	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Boîtier fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Numéro de produit de base	MMBTH10

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Quantité

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Bande coupée (CT)

Bande et bobine