MBT35200MT1G onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

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MBT35200MT1G
Numéro de produit DigiKey	MBT35200MT1GOSTR-ND - Bande et bobine MBT35200MT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) MBT35200MT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	MBT35200MT1G
Description	TRANS PNP 35V 2A 6-TSOP
Référence client
Description détaillée	Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples PNP 35 V 2 A 100MHz 625 mW Montage en surface 6-TSOP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	MBT35200MT1G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Transistors bipolaires simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de transistor	PNP
Courant - Collecteur (Ic) (max.)	2 A
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)	35 V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic	310mV à 20mA, 2A
Courant - Résiduel de collecteur (max.)	100nA
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce	100 à 1,5A, 1,5V
Puissance - Max.	625 mW
Fréquence - Transition	100MHz
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Boîtier fournisseur	6-TSOP
Numéro de produit de base	MBT35200

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT)