FDS86242
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FDS86242

FDS8960C

Numéro de produit DigiKey
FDS8960CTR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
FDS8960C
Description
MOSFET N/P-CH 35V 7A/5A 8SOIC
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 35V 7A, 5A 900mW Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
FDS8960C Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
Canaux N et P
Fonction FET
Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)
35V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
7A, 5A
Rds On (max.) à Id, Vgs
24mohms à 7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
7,7nC à 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
570pF à 15V
Puissance - Max.
900mW
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur
8-SOIC
Numéro de produit de base
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Obsolète
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