

FDS8960C | |
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Numéro de produit DigiKey | FDS8960CTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FDS8960C |
Description | MOSFET N/P-CH 35V 7A/5A 8SOIC |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 35V 7A, 5A 900mW Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | FDS8960C Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | onsemi | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine | |
Statut du composant | Obsolète | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | Canaux N et P | |
Fonction FET | Porte de niveau logique | |
Tension drain-source (Vdss) | 35V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 7A, 5A | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 24mohms à 7A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 7,7nC à 5V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 570pF à 15V | |
Puissance - Max. | 900mW | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) | |
Boîtier fournisseur | 8-SOIC | |
Numéro de produit de base |

