NTHD4508NT1G onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

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NTHD4508NT1G
Numéro de produit DigiKey	NTHD4508NT1GOSTR-ND - Bande et bobine NTHD4508NT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTHD4508NT1G
Description	MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 3A 1,13W Montage en surface ChipFET™
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTHD4508NT1G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT)
Statut du composant	Obsolète
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3A
Rds On (max.) à Id, Vgs	75mohms à 3,1A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	4nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	180pF à 10V
Puissance - Max.	1,13W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SMD, broches plates
Boîtier fournisseur	ChipFET™
Numéro de produit de base	NTHD4508