8-TSSOP
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PMWD19UN,518

Numéro de produit DigiKey
568-2361-2-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
PMWD19UN,518
Description
MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 30V 5,6A 2,3W Montage en surface 8-TSSOP
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
NXP USA Inc.
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (double)
Fonction FET
Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
5,6A
Rds On (max.) à Id, Vgs
23mohms à 3,5A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id
700mV à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
28nC à 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1478pF à 10V
Puissance - Max.
2,3W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-TSSOP (0,173po, 4,40mm de largeur)
Boîtier fournisseur
8-TSSOP
Numéro de produit de base
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Obsolète
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