Name: A5G35H120NT2
Brand: NXP USA Inc.
SKU: 568-A5G35H120NT2TR-ND
Price: 63.46423 EUR
Availability: OutOfStock

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A5G35H120NT2
Numéro de produit DigiKey	568-A5G35H120NT2TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	NXP USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	A5G35H120NT2
Description	RF MOSFET GAN 48V 10DFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	RF MOSFET 48 V 70 mA 3,3GHz ~ 3,7GHz 14,1dB 18W 10-DFN (7x10)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	A5G35H120NT2 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET RF
Fabricant	NXP USA Inc.
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Technologies	GaN
Configuration	-
Fréquence	3,3GHz ~ 3,7GHz
Gain	14,1dB
Tension - Test	48 V
Courant nominal (A)	-
Facteur de bruit	-
Courant - Test	70 mA
Puissance - Sortie	18W
Tension - Nominale	125 V
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	10-PowerLDFN
Boîtier fournisseur	10-DFN (7x10)

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Quantité

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Bande et bobine