NX7002BKMBYL NXP Semiconductors | Produits semi-conducteurs discrets

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NX7002BKMBYL
Numéro de produit DigiKey	2156-NX7002BKMBYL-954-ND
Fabricant	NXP Semiconductors
Numéro de produit du fabricant	NX7002BKMBYL
Description	NEXPERIA NX7002B - 60V, N-CHANNE
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 350mA (Ta) 350mW (Ta), 3,1 W (Tc) Montage en surface DFN1006B-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	NXP Semiconductors
Série	TrenchMOS™
Conditionnement	En vrac
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	350mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,8ohms à 200mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	1 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	23.6 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	350mW (Ta), 3,1 W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	DFN1006B-3
Boîtier	3-XFDFN