Canal N, mode de déplétion 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Trou traversant TO-92-3
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LND150N3-G-P003

Numéro de produit DigiKey
LND150N3-G-P003TR-ND - Bande et bobine
LND150N3-G-P003CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
LND150N3-G-P003
Description
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
6 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N, mode de déplétion 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Trou traversant TO-92-3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
LND150N3-G-P003 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Statut du composant
Actif
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
500 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
0V
Rds On (max.) à Id, Vgs
1000ohms à 500µA, 0V
Vgs(th) (max.) à Id
-
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
10 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
740mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-92-3
Boîtier
Numéro de produit de base
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Tous les prix sont en EUR
Bande coupée (CT)
Quantité Prix unitaire Prix total
10,58000 €0,58 €
250,47160 €11,79 €
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
2 0000,44528 €890,56 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,58000 €
Prix unitaire avec TVA:0,69600 €