
ICPB1005-1-110I | |
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Numéro de produit DigiKey | 150-ICPB1005-1-110I-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | ICPB1005-1-110I |
Description | DC-14 GHZ 25W DISCRETE GAN HEMT |
Référence client | |
Description détaillée | RF MOSFET 28 V 250 mA 14GHz 6,4dB 25W MATRICE |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | Microchip Technology | |
Série | - | |
Conditionnement | Boîte | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | GaN HEMT | |
Configuration | - | |
Fréquence | 14GHz | |
Gain | 6,4dB | |
Tension - Test | 28 V | |
Courant nominal (A) | 2A | |
Facteur de bruit | - | |
Courant - Test | 250 mA | |
Puissance - Sortie | 25W | |
Tension - Nominale | 28 V | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | MATRICE | |
Boîtier fournisseur | MATRICE |