IXTY01N80 IXYS | Produits semi-conducteurs discrets

IXTY01N80 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Prix unitaire : 0,45000 €

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IXTY01N80
Numéro de produit DigiKey	IXTY01N80-ND
Fabricant	IXYS
Numéro de produit du fabricant	IXTY01N80
Description	MOSFET N-CH 800V 100MA TO252AA
Référence client
Description détaillée	Canal N 800 V 100mA (Tc) 25W (Tc) Montage en surface TO-252AA

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	IXYS
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	800 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	100mA (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	50ohms à 100mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 25µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	8 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	60 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	25W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	IXTY01