Canal N 1200 V 200mA (Tc) 33W (Tc) Montage en surface TO-252AA
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Canal N 1200 V 200mA (Tc) 33W (Tc) Montage en surface TO-252AA
TO-252AA

IXTY02N120P-TRL

Numéro de produit DigiKey
238-IXTY02N120P-TRLTR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IXTY02N120P-TRL
Description
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
32 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 200mA (Tc) 33W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
75ohms à 100mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
4.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
104 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
33W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-252AA
Boîtier
Numéro de produit de base
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Disponible sur commande
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Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
2 5000,84898 €2 122,45 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,84898 €
Prix unitaire avec TVA:1,01878 €
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