IXFN32N60 IXYS | Produits semi-conducteurs discrets

IXFN32N60 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Prix unitaire : 35,06000 €

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IXFN32N60
Numéro de produit DigiKey	IXFN32N60-ND
Fabricant	IXYS
Numéro de produit du fabricant	IXFN32N60
Description	MOSFET N-CH 600V 32A SOT227B
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 32 A (Tc) 520AW (Tc) Montage sur châssis SOT-227B

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	IXYS
Série	HiPerFET™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	32 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	250mohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 8mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	325 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	9000 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	520AW (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage sur châssis
Boîtier fournisseur	SOT-227B
Boîtier	SOT-227-4, miniBLOC
Numéro de produit de base	IXFN32