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IPG20N04S409ATMA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Recommandation fabricant
Similaire
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IPG20N04S409ATMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-IPG20N04S409ATMA1TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPG20N04S409ATMA1 |
Description | MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 40V 20 A (Tc) 54W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPG20N04S409ATMA1 Modèles |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Infineon Technologies | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine | |
Statut du composant | Obsolète | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux N (double) | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 40V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 20 A (Tc) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 8,6mohms à 17A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4V à 22µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 28nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 2250pF à 25V | |
Puissance - Max. | 54W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | Automobile | |
Qualification | AEC-Q101 | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 8-PowerTDFN | |
Boîtier fournisseur | PG-TDSON-8 | |
Numéro de produit de base |
Obsolète
France