Name: IAUCN04S7N056DATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN04S7N056DATMA1TR-ND
Price: 1.632 EUR
Availability: OutOfStock

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IAUCN04S7N056DATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IAUCN04S7N056DATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IAUCN04S7N056DATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IAUCN04S7N056DATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUCN04S7N056DATMA1
Description	MOSFET_(20V 40V)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 40V 60A (Tj) 41W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-61
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IAUCN04S7N056DATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 7
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	40V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	60A (Tj)
Rds On (max.) à Id, Vgs	5,59mohms à 30A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 10µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	13nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	798pF à 20V
Puissance - Max.	41W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-PowerTDFN
Boîtier fournisseur	PG-TDSON-8-61